Mit Hilfe der zerstörungsfreien Schneidetechnik werden Siliziumwafer gleichmäßig in zwei oder mehr Teile geschnitten, um eine niedrigere Nennbetriebstemperatur (NOCT) zu erreichen, Abschattungsverluste zu verringern und die Umwandlungseffizienz zu verbessern.

Eine Modultechnologie, die von beiden Seiten Strom erzeugt. Wenn die Sonne auf ein bifaziales Modul scheint, wird ein Teil des Lichts von der Umgebung auf die Rückseite des Moduls reflektiert, wo es von den Zellen zur Stromerzeugung absorbiert werden kann.

Interdigitale Rückkontaktzellen, eine Technologie, bei der N-Typ-Siliziumwafer verwendet werden, die sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückseite mit einer thermischen Oxidschicht überzogen sind, um eine Rückkontakt-Energieumwandlung zu ermöglichen. Die Vorderseite der Zelle ist frei und ermöglicht eine maximale Absorption des Sonnenlichts.

Passivierte Tunneloxid-Kontaktzellen mit einer Zellstruktur, die einen eindimensionalen Längstransport von Ladungsträgern ermöglicht und gleichzeitig die Verbindung von Metallen mit Siliziumsubstraten reduziert, um eine höhere kombinierte Energieerzeugung zu erreichen.

Heteroübergang mit intrinsischen Dünnschichtzellen, bei denen der P-N-Übergang aus zwei verschiedenen Halbleitermaterialien besteht. Es hat die Vorteile der beidseitigen Stromerzeugung, des Niedrigtemperatur-Herstellungsverfahrens, der hohen Leerlaufspannung und der guten Temperatureigenschaften.

Bei der Shingled-Technologie werden die Siliziumwafer in der Regel in mehr als 5 Teile geschnitten und mit einem flexiblen leitfähigen Klebstoff bei niedrigen Temperaturen verbunden, um eine nahtlose Verbindung zwischen den Zellen zu erreichen, wodurch die Ausgangsleistung der Module erheblich gesteigert wird.